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功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
配置:
晶体管极性:PNP
集电极—基极电压 VCBO:
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V
集电极—射极饱和电压:
最大直流电集电极电流:
增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A
最大工作温度:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2